[实用新型]发光模组、显示装置及其电子设备有效

专利信息
申请号: 201820840813.5 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN208418190U 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 韩婷婷;朱剑飞;裴小明 申请(专利权)人: 深圳市瑞丰光电子股份有限公司
主分类号: F21K9/20 分类号: F21K9/20;F21K9/68;F21K9/69;F21Y115/10
代理公司: 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 代理人: 蔺显俊
地址: 518000 广东省深圳市光*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及LED领域,特别地涉及一种发光模组、显示装置及其电子设备。所述发光模组包括至少一发光芯片及设置在所述发光芯片的出光方向之上的半透半反射结构,所述半透半反射结构中包括多个对预设波长的光线反射的光子晶体,所述光子晶体在与发光芯片对应区域的分布密度与在非发光芯片对应区域的分布密度不同。所述显示装置及电子设备包括上述发光模组。在本实用新型中,通过在所述发光芯片之上设有半透半反射的结构,利用光子晶体的特性,在不增加荧光体数量或光改变材料层的厚度前提下,提高特定波长的荧光射出量。同时,由于荧光光程的减少,也可提高发光芯片发出光线的射出效率。
搜索关键词: 发光芯片 发光模组 电子设备 光子晶体 显示装置 半透 半反射结构 本实用新型 波长 射出 改变材料 光线反射 半反射 荧光光 荧光体 荧光 预设
【主权项】:
1.一种发光模组,其特征在于:其包括至少一发光芯片及设置在所述发光芯片的出光方向之上的半透半反射结构,所述半透半反射结构中包括多个对预设波长的光线反射的光子晶体,所述光子晶体在与发光芯片对应区域的分布密度与在非发光芯片对应区域的分布密度的不同。
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