[实用新型]一种SRAM芯片有效
| 申请号： | 201820058977.2 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN207742937U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王贵良 | 申请（专利权）人： | 北京中科戎大科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 李子健;李迎春 |
| 地址： | 100192 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种SRAM芯片，包括独立的读写双端口阵列、IO控制、模块配置、冲突检出逻辑、地址和计数器逻辑、邮箱、JTAG、复位逻辑程序模块，并提供两种操作模式：同步和直通。同步操作中每端口最大单数据速率为150MHz×36。该SRAM芯片还设有可调匹配电阻、反馈时钟、内部电路断电功能，可调匹配电阻加强数据传输特性，反馈时钟提高数据传输，内部电路断电可降低静态功耗。本实用新型的SRAM芯片能够提高自身读写及存储性能，且读写速率快、功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 读写 本实用新型 反馈时钟 内部电路 匹配电阻 可调 程序模块 数据传输特性 计数器逻辑 操作模式 存储性能 断电功能 复位逻辑 静态功耗 模块配置 数据传输 同步操作 单数据 双端口 功耗 检出 断电 冲突 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM芯片，其特征在于，所述芯片包括独立的读写双端口阵列单元、IO控制单元、模块配置单元、冲突检出逻辑单元、地址和计数器逻辑单元、邮箱单元、JTAG单元、复位逻辑单元；所述芯片设有同步工作模式和直通工作模式、可调匹配电阻、反馈时钟。
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