[实用新型]纹波抑制器电路有效

专利信息
申请号: 201820028683.5 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN208590131U 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 金镇兑;严炫喆;朴仁琪;李应佑 申请(专利权)人: 快捷韩国半导体有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 高文静
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 实用新型涉及纹波抑制器电路。它包括纹波检测器,连接至输出电容器并配置为生成纹波电压;自适应偏移发生器,连接至纹波检测器以接收纹波电压,配置为由纹波电压以及MOS晶体管的第一端子上的信号生成自适应偏移电压;以及线性稳压器,具有连接到MOS晶体管的第二端子的输出节点、连接到MOS晶体管的第一端子的第一输入节点以及接收由纹波电压以及自适应偏移电压生成的控制参考电压的第二输入节点,配置成根据控制参考电压来调节经调节的电流。本实用新型解决的一个技术问题是防止由于自动优化晶体管的饱和电压的困难而导致严重的功率损耗。本实用新型实现的一个技术效果是自动地使来自晶体管的饱和工作的功率耗散最小化。
搜索关键词: 纹波电压 本实用新型 自适应 检测器 纹波抑制器 参考电压 偏移电压 输入节点 晶体管 纹波 电路 配置 偏移发生器 输出电容器 线性稳压器 饱和电压 功率耗散 功率损耗 技术效果 输出节点 信号生成 自动优化 自动地 最小化 饱和
【主权项】:
1.一种纹波抑制器电路,其特征在于,包括:纹波检测器,所述纹波检测器被连接至输出电容器,所述纹波检测器被配置为生成指示纹波电流的纹波电压;自适应偏移发生器,所述自适应偏移发生器被连接至所述纹波检测器以接收纹波电压,所述自适应偏移发生器被配置为由所述纹波电压以及金属氧化物半导体MOS晶体管的第一端子上的信号生成自适应偏移电压;以及线性稳压器,所述线性稳压器具有连接到所述金属氧化物半导体MOS晶体管的第二端子的输出节点、连接到所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述第一端子的第一输入节点以及接收由所述纹波电压以及所述自适应偏移电压生成的控制参考电压的第二输入节点,所述线性稳压器被配置成根据所述控制参考电压来调节经调节的电流。
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