[发明专利]一种宽范围自适应电压监测装置及方法在审

专利信息
申请号: 201811644048.0 申请日: 2018-12-30
公开(公告)号: CN109828145A 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 戴立海;赵伟;陈二利;管晶;韩勇;姜泽华 申请(专利权)人: 南京传麒信息技术合伙企业(普通合伙)
主分类号: G01R19/25 分类号: G01R19/25
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 张学彪
地址: 210000 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种宽范围自适应电压监测装置及方法,根据被监测电压的范围自动修正电压互感器的输入电流大小,从而实现量程的宽范围,根据被监测电压的频率调整采样频率,与输入的电压频率成正比,便于后续计算分析,监测过程中实现不间断采样,无采样时间间隙,将采样的数据点形成波形数据,实时记录分析数据的形态,自适应被监测对象的物理状态。
搜索关键词: 自适应 采样 电压监测装置 监测电压 被监测对象 电压互感器 波形数据 采样频率 电压频率 分析数据 计算分析 监测过程 频率调整 时间间隙 实时记录 输入电流 物理状态 自动修正 成正比 数据点 量程
【主权项】:
1.一种宽范围自适应电压监测装置,其特征在于,包括分压电阻网络,所述分压电阻网络包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R12、电阻R14、电阻R10、电阻R11、P沟道MOS管T1、P沟道MOS管T2、P沟道MOS管T3、P沟道MOS管T4、P沟道MOS管T5、P沟道MOS管T6、P沟道MOS管T7、P沟道MOS管T8、P沟道MOS管T9、P沟道MOS管T10;所述电阻R1、电阻R2和电阻R3串联;所述电阻R4和电阻R5串联;所述电阻R1、电阻R5和电阻R6的一端均连接VL1端;所述P沟道MOS管T1的基极和所述P沟道MOS管T2的基极均连接P01’端,所述P01’端通过双向稳压二极管DE1连接VN1端,所述P沟道MOS管T1的漏极和所述P沟道MOS管T2的漏极连接,所述P沟道MOS管T1的源极连接所述电阻R11的一端,所述P沟道MOS管T2的源极连接VN1端;所述P沟道MOS管T3的基极和所述P沟道MOS管T5的基极均连接P02’端,所述P02’端通过双向稳压二极管DE2连接VN1端,所述P沟道MOS管T3的漏极和所述P沟道MOS管T5的漏极连接,所述P沟道MOS管T3的源极连接所述电阻R7的一端,所述P沟道MOS管T5的源极连接VN1端;所述P沟道MOS管T4的基极和所述P沟道MOS管T6的基极均连接P03’端,所述P03’端通过双向稳压二极管DE4连接VN1端,所述P沟道MOS管T4的漏极和所述P沟道MOS管T6的漏极连接,所述P沟道MOS管T4的源极连接所述电阻R8的一端,所述P沟道MOS管T6的源极连接VN1端;所述P沟道MOS管T7的基极和所述P沟道MOS管T8的基极均连接P04’端,所述P04’端通过双向稳压二极管DE5连接VN1端,所述P沟道MOS管T7的漏极和所述P沟道MOS管T8的漏极连接,所述P沟道MOS管T7的源极连接所述电阻R9的一端,所述P沟道MOS管T8的源极连接VN1端;所述P沟道MOS管T9的基极和所述P沟道MOS管T10的基极均连接P05’端,所述P05’端通过双向稳压二极管DE6连接VN1端,所述P沟道MOS管T9的漏极和所述P沟道MOS管T10的漏极连接,所述P沟道MOS管T9的源极连接所述电阻R10的一端,所述P沟道MOS管T10的源极连接VN1端;所述电阻R6、电阻R11、电阻R7、电阻R8、电阻R9和电阻R10的另一端均通过所述双向稳压二极管DE3连接VN1端;所述VN1端和VL1端之间设置有热敏电阻RY1。
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