[发明专利]应用于5G毫米波基站的CMOS集成电路带隙基准源有效
| 申请号： | 201811616031.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109491434B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 马顺利;任俊彦;魏继鹏;李宁;叶凡 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。本发明电路结构包括带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块以及启动电路模块；带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块通过PMOS晶体管的栅端电压偏置连接构成带隙基准源的核心电路。本发明通过加入NMOS晶体管和电阻来提高带隙基准的精度。该带隙基准源在室温下输出1.2V的电压，且具有较低的温度系数和较高的电源抑制比；由晶体管和电阻组成的混合高阶矫正网络，使得该电路在超过120度的温度下仍然具有很好的线性度，特别适合用作5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 毫米波 基站 cmos 集成电路 基准 | ||
【主权项】：
1.一种应用于5G毫米波基站CMOS集成电路带隙基准源，其特征在于，电路结构包括四个模块：带隙基准核心模块101、带隙基准补偿模块102、电压电流转换模块103以及启动电路模块200；其中，所述带隙基准核心模块101、带隙基准补偿模块102、电压电流转换模块103通过PMOS晶体管的栅端电压偏置连接，构成带隙基准源的核心电路；带隙基准核心模块101中使用两个高增益运算放大器300。
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