[发明专利]一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法有效
| 申请号： | 201811614888.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109840163B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李乾男;龙晓东;薛小飞 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 赵逸宸 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 为了解决现有Nand‑Flash写操作冗余替换方法耗时较长的技术问题，本发明提供了一种Nand‑Flash错误数据冗余替换方法。本分明将FIFO分成两部分，一部分用来存储page buffer中要替换的字节的位置，另一部分存储读回的包含替换字节的数据，输出时通过硬件选出所有要替换的字节一次写入冗余区域，整个冗余替换过程耗时较短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 错误 数据 冗余 替换 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Nand‑Flash错误数据冗余替换方法，其特征在于，包括步骤：1)对于不同位数的内部数据总线，采用相应深度的FIFO，并对FIFO进行定义：将FIFO的一部分定义为索引区，其余部分定义为数据区；2)读入阵列损坏单元对应的page buffer地址到所述索引区；3)根据步骤2)中的page buffer地址从page buffer中读取包含替换字节的数据，并存储到所述数据区；4)从步骤3)读取的所有数据中各取出要替换的一个字节；5)将步骤4)取出的要替换的字节写入page buffer的冗余区域。
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