[发明专利]一种自定义功率晶体管伏安特性的电路结构在审

专利信息
申请号: 201811612840.8 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109698675A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 游飞;张硕;李川;何松柏 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/32;H03F3/195;H03F3/213
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 陈一鑫
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种自定义功率晶体管伏安特性的电路,属于无线通信技术领域,为解决上述传统功放电路在使用功率晶体管设计功率放大器时输出波形失真的问题,本发明提出了一种带有自适应栅极电压调节模块的自定义特性功率晶体管实现技术。该技术能够自定义功率晶体管的伏安特性,如实现恒流源特性来消除输出信号的波形失真。
搜索关键词: 功率晶体管 自定义 伏安特性 电路 无线通信技术领域 栅极电压调节 功率放大器 晶体管设计 波形失真 传统功放 电路结构 使用功率 输出波形 输出信号 恒流源 自适应
【主权项】:
1.一种自定义功率晶体管伏安特性的电路,该电路包括:信号分离模块、信号处理模块、功率晶体管、栅极电压调节模块;其中,外部匹配信号输入所述信号分离模块,经过信号分离模块后分为占大部分功率的功放功率和占小部分功率的控制功率,其中功放功率输入功率晶体管的栅极,控制功率输入信号处理模块,所述信号处理模块的输出连接到栅极电压调节模块,栅极电压调节模块的输出连接功率晶体管的栅极,用于控制功率晶体管,功率晶体管源极接地,漏极为输入端。
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