[发明专利]一种抗噪声的高压栅驱动电路有效
申请号: | 201811612718.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109687861B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 方健;王定良;雷一博;张波;王卓 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/003 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种抗噪声的高压栅驱动电路,属于模拟集成电路技术领域。包括高压电平位移模块、共模噪声消除电路、RS锁存器和驱动模块,高压电平位移模块通过LDMOS管来实现对信号电平的提高,将输入的两路低压脉冲控制信号转换成高压脉冲信号并连同高压共模信号输出至共模噪声消除电路,共模噪声消除电路利用差模放大器的原理实现对共模噪声的消除,RS锁存器和驱动模块将消除噪声后的窄脉冲信号重新转变成输出信号用于驱动高侧功率管。本发明可以消除各种共模干扰噪声,能够适用于更窄的窄脉冲输入信号,具有更低的电路功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 噪声 高压 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1.一种抗噪声的高压栅驱动电路,其特征在于,包括高压电平位移模块、第一共模噪声消除模块、第二共模噪声消除模块、RS锁存器和驱动模块,所述高压电平位移模块包括第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第三齐纳二极管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管、第七齐纳二极管、第八齐纳二极管、第九齐纳二极管、第一LDMOS管、第二LDMOS管、第三LDMOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻,第一LDMOS管的栅端作为所述高压电平位移模块的第一输入端,其漏端作为所述高压电平位移模块的第一输出端并通过第三电阻后连接浮动电源,其源端通过第六电阻后接地;第三LDMOS管的栅端作为所述高压电平位移模块的第二输入端,其漏端作为所述高压电平位移模块的第二输出端并通过第五电阻后连接浮动电源,其源端通过第八电阻后接地;第二LDMOS管的栅端接地,其漏端作为所述高压电平位移模块的第三输出端并通过第四电阻后连接浮动电源,其源端通过第七电阻后接地;第一齐纳二极管的阴极连接浮动电源,其阳极连接第二齐纳二极管的阴极;第三齐纳二极管的阴极连接第二齐纳二极管的阳极,其阳极连接第一LDMOS管的漏端;第四齐纳二极管的阴极连接浮动电源,其阳极连接第五齐纳二极管的阴极;第六齐纳二极管的阴极连接第五齐纳二极管的阳极,其阳极连接第二LDMOS管的漏端;第七齐纳二极管的阴极连接浮动电源,其阳极连接第八齐纳二极管的阴极;第九齐纳二极管的阴极连接第八齐纳二极管的阳极,其阳极连接第三LDMOS管的漏端;所述第一共模噪声消除模块的第一输入端连接所述高压电平位移模块的第一输出端,其第二输入端连接所述高压电平位移模块的第三输出端,其输出端连接所述RS锁存器的R输入端;所述第二共模噪声消除模块的第一输入端连接所述高压电平位移模块的第二输出端,其第二输入端连接所述高压电平位移模块的第三输出端,其输出端连接所述RS锁存器的S输入端;所述驱动模块的输入端连接所述RS锁存器的输出端,其输出端作为所述高压栅驱动电路的输出端。
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