[发明专利]一种高压高比容腐蚀箔的制造方法

摘要

本发明公开了一种高压高比容腐蚀箔的制备方法。该制备方法包括如下步骤：预处理；一级发孔：将预处理光箔进行一级发孔，施加电流为交直流电叠加；中处理；二级电化学发孔：将中处理光箔在变电场中进行二级发孔；扩孔腐蚀；后处理。本发明的制备方法主要针对一级发孔和二级发孔的发孔密度和均匀一致性控制，一级发孔采用特定电流密度的交直流电叠加发孔，二级发孔采用变电场发孔，改善了发孔的均匀性和生长一致性，从而提升了阳极箔的比容，弯折强度可以达到7回以上，静电容量可以达到0.8以上，平均孔径可达1.27μm，具有产速较快、比容高以及性能一致性好的优点，可大幅度提升现有腐蚀箔的品质，满足中高压大容量电解容器的阳极箔要求。

主权项

1.一种高压高比容腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1. 预处理：将电子光箔进行预处理去除表面杂质；S2. 一级发孔：将预处理光箔进行一级发孔，施加电流为交直流电叠加，其中直流电密度为0.6~0.8A/cm2，交流电密度为0.01~0.1A/cm2，交流频率为1000~2000Hz；S3. 中处理：将一级发孔腐蚀箔置于一级发孔相同的溶液中浸泡，浸泡温度80‑95℃，浸泡时间10‑25s；S4. 二级发孔：将中处理光箔在变电场中进行二级发孔，初始电流为1.2~1.7A/cm2，5s内均匀下降至0.9A/cm2，10~15s内均匀下降至0.40A/cm2，15~20s内均匀下降至0；S5. 扩孔腐蚀：将上述二级发孔腐蚀箔进行扩孔腐蚀至平均孔径≥1μm；S6. 后处理：将上述扩孔腐蚀箔经过后处理清洗杂质，洗净制备得到高压高比容腐蚀箔。