[发明专利]一种极低压高比容化成箔的制造方法在审
| 申请号： | 201811565032.0 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109628979A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 董连军;陈志然;王文宝;欧永聪;陈宇峰;陈建正 | 申请（专利权）人： | 宝兴县华锋储能材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/16 | 分类号： | C25D11/16;C25D11/12;C25D11/10;C25D11/18;C22F1/04;H01G9/045 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 625700 四川省雅安市宝兴县灵关镇宝灵路1*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极低压高比容化成箔的制造方法，所述方法包括：1)对铝箔进行预处理；2)对铝箔进行化成。所述方法通过在化成前需要进行预处理工序以及多级化成，经实验证明其产品的表面杂质少、漏电流低，并且还具备极佳的比容。 | ||
| 搜索关键词： | 比容 铝箔 化成箔 化成 预处理 预处理工序 表面杂质 多级化成 漏电流 制造 | ||
【主权项】：
1.一种极低压高比容化成箔的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)对铝箔进行预处理；2)对铝箔进行化成。
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