[发明专利]感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法和装置及单晶炉在审
| 申请号： | 201811548809.2 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109338461A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 肖学峰;张学锋;韦海成;张欢 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/14 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 周晓梅;孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法，晶体生长的阶段，在坩埚外侧设置辅助温场，所述坩埚自身可发热，将所述辅助温场放置于坩埚径向延伸的坩埚侧壁外侧的位置，通过所述辅助温场加热坩埚内熔体，提高坩埚内熔体的纵向温度梯度，本发明技术方案中，通过在坩埚外侧增加辅助温场，为坩埚内熔体加热，这样就能抵消熔体液面上方裸露出的坩埚的侧壁对熔体产生的热量，保证晶体生长所需的温度梯度，本发明还提供了一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热装置，本发明还提供了一种感应加热直拉法生长单晶的单晶炉。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 感应加热 直拉法 单晶 温场 内熔体 生长 辅助加热 晶体生长 单晶炉 辅助加热装置 纵向温度梯度 方法和装置 加热坩埚 径向延伸 外侧设置 温度梯度 坩埚侧壁 侧壁对 体液 熔体 加热 抵消 发热 保证 | ||
【主权项】：
1.一种感应加热直拉法生长单晶的辅助加热方法，其特征在于：晶体生长的阶段，在坩埚外侧设置辅助温场，所述坩埚自身可发热，将所述辅助温场放置于坩埚径向延伸的坩埚侧壁外侧的位置，通过所述辅助温场加热坩埚内熔体，提高坩埚内熔体的纵向温度梯度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北方民族大学，未经北方民族大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811548809.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种控制石榴石晶体晶核生长的方法
- 下一篇：一种直拉单晶用变径籽晶及引晶方法
