[发明专利]基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极及制备方法在审
| 申请号： | 201811547972.7 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109659146A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 尤政;王晓峰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/46;H01G11/68;H01G11/28;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人： | 李富华 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于微储能器件领域的一种基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极及制备方法。在硅基底上依次附着Si/SiO2，三维的微柱阵列电极、纳米金属氧化物活性电极薄膜和三维微柱阵列电极的集流体，组成三维微柱阵列活性电极。以氧化钌、氧化锰等为纳米金属氧化物。首先加工微柱及“微草”结构；继而以“微草”结构为沉积模板，制备具有三维管状的纳米金属氧化物薄膜，得到三维微柱阵列活性电极。该管状微结构促进了电极比表面积的提升，使其具有优异的电化学储能特性，比容量高达99.3mF/cm2，用于超级电容器电极，有效的促进了微储能器件能量密度和功率密度的提升，为应用于可穿戴电子器件、无线传感网络提供了帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 三维微柱阵列 活性电极 纳米金属氧化物 电极 制备 管状金属氧化物 储能器件 薄膜 三维 超级电容器电极 无线传感网络 电化学储能 电子器件 微柱阵列 比容量 集流体 可穿戴 微结构 氧化锰 氧化钌 沉积 附着 硅基 微柱 加工 应用 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极，其特征在于，所述三维微柱阵列活性电极是在硅基底上附着一层Si/SiO2，在Si/SiO2层表面加工出三维的微柱阵列电极，然后在三维微柱阵列电极表面沉积纳米金属氧化物活性电极薄膜，进而在活性电极薄膜表面沉积导电性良好的金属Au作为三维微柱阵列电极的集流体，组成三维微柱阵列活性电极。
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