[发明专利]一种低温共烧压电多层陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低温共烧压电多层陶瓷，该低温压电多层陶瓷的结构通式为PbxM31‑X〔(M41/3Nb 2/3)e(Co1/3Nb2/3)f(Zn1/3Nb2/3)gZr.Ti]O3+wmol%Cuo，其x=0.86‑0.96，e=0.01‑0.10，f=0.01‑0.5，g=0.01‑0.6，w=0.05‑2.5。本发明还提供了制备该压电多层陶瓷的方法，可利用该方法制备具有高压电常数、高品质因数、高机电耦合系数、高介电常数、高容量的低温烧结压电多层陶瓷，克服了现有普通压电陶瓷烧结温度高，无法制备高容量压电器件的问题。本发明所公开的制备方法具有工艺简单，无特殊设备要求，成本比较低，利于企业大规模生产等特点，可以用于压电蜂鸣器件等各种高容量压电器件产品。

主权项

1.一种低温共烧压电多层陶瓷材料，其特征在于：该低温烧结压电多层陶瓷的结构通式为PbxM3 1‑X〔(M4 1/3 Nb 2/3)e(Co1/3Nb2/3)f(Zn1/3Nb2/3)gZr.Ti] O3+wmol%Cuo，其中M 3为3价金属的改性元素；M4为4价金属元素，所述压电材料的结构通式中x的取值范围为0.86‑0.96，e的取值范围为0.01‑0.10，f的取值范围为0.01‑0.5, g的取值范围为0.01‑0.6，w的取值范围为0.05‑2.5。