[发明专利]柔性VCSEL阵列器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811529496.6 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109378709B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 李川川;韦欣;李健;汪超;廖文渊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/42 | 分类号： | H01S5/42;H01S5/30;H01S5/20;H01S5/183;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法，属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底，所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成，去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括：制备VCSEL阵列单元外延结构；在所述VCSEL阵列单元上制备上电极，并实现电极互连；在所述上电极上粘接嫁接基底；剥离所述外延结构的衬底；制备下电极并形成欧姆接触；将所述下电极与柔性基底粘接，并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 vcsel 阵列 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性VCSEL阵列器件制备方法，包括：制备VCSEL阵列单元外延结构；在所述VCSEL阵列单元上制备上电极(11)，并实现电极互连；在所述上电极(11)上粘接嫁接基底(10)；剥离所述外延结构的衬底(8)；在所述VCSEL阵列单元底部制备下电极(13)并形成欧姆接触；将所述下电极(13)与柔性基底(14)粘接，并去除所述嫁接基底(10)。
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