[发明专利]全阻性微井型探测器放大单元及制备方法有效
| 申请号： | 201811529144.0 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109709149B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;邵明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种全阻性微井型探测器的放大单元及制备方法，该全阻性微井型探测器放大单元由下至上依次分为：读出电极PCB、Prepreg层、第一阻性DLC层、APICAL层以及第二阻性DLC层；本公开提供的全阻性微井型探测器放大单元及制备方法中上下电极为40nm左右的阻性DLC层，其物质量比APICAL小3个量级，因此放大单元的总物质量仅为μRWELL探测器放大单元总物质量的33％左右，更低的物质量能有效降低探测器在探测低能带电粒子时对粒子本身造成的影响，有效拓展该探测器在中低能核物理实验中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 全阻性微井型 探测器 放大 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，包括：步骤A：在读出电极PCB的表面制作Prepreg层；步骤B：将APICAL基材粘接在所述Prepreg层上，该APICAL基材包括：APICAL层；阻性DLC层，分别形成于所述APICAL层的上下表面；以及铜层，形成于任意一层所述阻性DLC层的表面；其中，所述DLC层与所述Prepreg层贴合，所述铜层远离所述Prepreg层设置；步骤C：对所述APICAL基材进行处理，使其表面形成高压连接线路以及深度直至所述APICAL层下表面的所述阻性DLC层的井型孔阵列；步骤D：将步骤C得到基材放入铜刻蚀液中进行刻蚀，移除剩余的所述铜层。
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