[发明专利]一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法在审
申请号: | 201811501300.2 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109514018A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 李阳;周东;陈潇;谌帅业;房迪;张超超;商登辉 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | B23K1/008 | 分类号: | B23K1/008;B23K1/20;B23K3/00 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550000 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法,包括以下特征:(1)预先加工适于半导体器件封盖的定位夹具,(2)设定真空加热的温度曲线;(3)选用合适的Au80Sn20预成型金锡环焊片;(4)对器件、盖板和金锡环焊片进行预处理;(5)依次放入定位夹具内、盖上压块,送入真空炉内;(6)开启真空泵抽真空,真空度达标后按照设定温度曲线加热,壳体和盖板焊接在一起。本方法优点:①盖板厚度无要求,封盖后机械强度大,盖板耐压大;②对封装的半导体器件材料无要求;③封装应力小;④无须特殊处理可经受住盐雾试验,使器件在腐蚀性气体下长期可靠地运行。适用于需要高可靠性陶瓷金属结构气密封装的微波半导体器件和集成电路。 | ||
搜索关键词: | 盖板 封盖 锡环 半导体器件 定位夹具 温度曲线 焊片 半导体器件材料 微波半导体器件 预处理 陶瓷金属结构 真空泵抽真空 腐蚀性气体 封装应力 高可靠性 气密封装 盐雾试验 真空加热 上压块 预成型 真空炉 放入 壳体 耐压 加热 封装 焊接 集成电路 送入 达标 加工 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法,其特征包括:(1)根据半导体器件产品的实际尺寸,预先加工适于半导体器件封盖的定位夹具,以实现批次同时进行封盖并保证其精确定位,所述的夹具是一种倒置型真空封盖夹具;(2)按照封盖工艺的“真空烘烤‑‑充氮熔封‑‑快速冷却”三步要求,设定真空加热的温度曲线,以实现“快速预热,液相温度最短时间上升至峰值温度,固化后快速冷却” 的加热周期;(3)根据壳体及盖板的平整度选用合适的Au80Sn20预成型金锡环焊片,确保壳体与盖板之间的密封;(4)对器件、盖板和金锡环焊片进行预处理:清洗、氮气吹干,以去除壳体及盖板表面的污染;(5)将清洁的盖板、金锡环焊片和器件依次放入定位夹具内、盖上压块,批量地送入真空炉内,关上炉门;(6) 开启真空泵抽真空,待真空度达到设定指标之后,按照设定真空加热的温度曲线加热、加压,器件与盖板加热到熔点温度后与金锡环焊片形成共熔、共晶,使壳体和盖板焊接在一起;然后降温,最后停止加热,开启炉门,取出产品。
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