[发明专利]集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法在审
| 申请号： | 201811500232.8 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109462145A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王永进;高绪敏;施政;袁佳磊;秦川;蔡玮 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p‑n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 | ||
| 搜索关键词： | 波导激光器 谐振光栅 悬空 微腔 量子阱器件 外延缓冲层 硅衬底层 微腔结构 光波导 制备 可见光通信 波长可调 传感领域 激光器 电泵浦 硅衬底 可用 调控 | ||
【主权项】：
1.一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器，其特征在于，该激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层(1)、设置在所述硅衬底层(1)上的外延缓冲层(2)、设置在所述外延缓冲层(2)上的n‑GaN层(3)、设置在所述n‑GaN层(3)上并连接在一起的p‑n结量子阱器件和光波导(8)；在所述n‑GaN层(3)上表面有刻蚀出的阶梯状台面，所述阶梯状台面包括下台面和位于下台面上的上台面，所述p‑n结量子阱器件包括设置在上台面上的p‑n结、设置在下台面上的n‑电极(6)、设置在p‑n结上面的p‑电极(7)，所述p‑n结包括从下至上依次连接设置的n‑GaN层(3)、InGaN/GaN量子阱层(4)和p‑GaN层(5)，所述p‑电极(7)设置在p‑GaN层(5)上，光波导(8)设置在下台面上，一端与p‑n结量子阱器件的n‑GaN层(3)连接，另一端刻蚀有谐振光栅(9)；在所述n‑GaN层(3)下方设置有与悬空区域的位置正对且贯穿硅衬底层(1)、外延缓冲层(2)至n‑GaN层(3)底面的背后空腔(10)，使得p‑n结量子阱器件和光波导(8)悬空，所述悬空区域包括光波导(8)、p‑电极(7)的一部分和n‑电极(6)的一部分。
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