[发明专利]铝箔腐蚀方法及铝箔有效
| 申请号： | 201811488859.6 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109609997B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 方铭清;肖远龙;赵龙;罗向军;何凤荣 | 申请（专利权）人： | 东莞东阳光科研发有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/04 | 分类号： | C25F3/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 523871 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及电化学腐蚀领域，公开了一种铝箔腐蚀方法，包括如下步骤：将铝箔放置于电解液中施加交流电进行布孔腐蚀；将中处理的铝箔放置于电解液中施加交流电进行深度生长腐蚀；其中，交流电初始电流的绝对值大于零；在交流电的半周期包括若干个波峰或波谷。本发明实施例一方面通过使用初始电流不为零的交流电，这样加电后即可直接对铝箔表面的钝化膜进行击穿，然后直接进行腐蚀孔洞的生长，有效提高了铝箔腐蚀孔洞的生长效率；提高了铝箔的表面积；另一方面由于交流电的半周期包括若干个波峰或波谷，这样无论交流电对铝箔进行较深或较浅腐蚀，均可使得铝箔腐蚀层均匀、有效地往深度方向生长，从而达到提升铝箔比容的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 铝箔 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铝箔腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：将铝箔放置于电解液中施加交流电进行布孔腐蚀；将所述布孔腐蚀的铝箔进行中处理；将所述中处理的铝箔放置于电解液中施加交流电进行深度生长腐蚀；将所述深度生长腐蚀处理后的铝箔进行后处理，完成铝箔腐蚀；其中，所述交流电初始电流的绝对值大于零；所述交流电的半周期包括若干个波峰或波谷。
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