[发明专利]一种垂直腔面发射激光器

摘要

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括衬底，在衬底上依次层叠有基板、底部n型DBR反射镜、第一氧化限制层、n型引导间隔层、有源区层、p型渐变间隔层、第二氧化限制层、第一间隔层、第三氧化限制层、第二间隔层、第四氧化限制层、第三间隔层、第五氧化限制层、第四间隔层、第六氧化限制层、第五间隔层、第七氧化限制层、第六间隔层、第八氧化限制层、顶部p型DBR反射镜、p型接触层和p侧电极；在衬底远离基板的一面设有n侧电极。其优点在于：能够稳定实现单模运行，并且具有低光学损耗、低能耗和低寄生电容的优点。

主权项

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括衬底(100)，在衬底(100)上依次层叠有基板(101)、底部n型DBR反射镜(102)、第一氧化限制层(104)、n型引导间隔层(105)、有源区层(106)、p型渐变间隔层(107)、第二氧化限制层(108)、第一间隔层(109)、第三氧化限制层(110)、第二间隔层(111)、第四氧化限制层(112)、第三间隔层(113)、第五氧化限制层(114)、第四间隔层(115)、第六氧化限制层(116)、第五间隔层(117)、第七氧化限制层(118)、第六间隔层(119)、第八氧化限制层(120)、顶部p型DBR反射镜(121)、p型接触层(122)和p侧电极(123)；在衬底(100)远离基板(101)的一面设有n侧电极；所述的底部n型DBR反射镜(102)包括多个第一折射率层和多个第二折射率层，所述的第一折射率层和第二折射率层均为AlGaAs层；所述的第一折射率层的折射率低于第二折射率层的折射率；所述的有源区层(106)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的波腹区域，所述的有源区层(106)包括多个量子阱层，所述的量子阱层为InAlGaAs层；所述的第一氧化限制层(104)设有第一电流注入区域，所述的第一电流注入区域的直径范围为9‑14μm；所述的第一氧化限制层(104)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第二氧化限制层(108)设有第二电流注入区域，所述的第二电流注入区域的直径等于第一电流注入区域的直径；所述的第二氧化限制层(108)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第三氧化限制层(110)设有第三电流注入区域，所述的第三电流注入区域的直径小于第二电流注入区域的直径6‑9μm；所述的第三氧化限制层(110)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第四氧化限制层(112)设有第四电流注入区域，所述的第四电流注入区域的直径等于第三电流注入区域的直径；所述的第四氧化限制层(112)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第五氧化限制层(114)设有第五电流注入区域，所述的第五电流注入区域的直径范围为14‑20μm，所述的第五氧化限制层(114)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第六氧化限制层(116)设有第六电流注入区域，所述的第六电流注入区域的直径范围为14‑20μm，所述的第六氧化限制层(116)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第七氧化限制层(118)设有第七电流注入区域，所述的第七电流注入区域的直径范围为14‑20μm，所述的第七氧化限制层(118)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的第八氧化限制层(120)设有第八电流注入区域，所述的第八电流注入区域的直径范围为14‑20μm，所述的第八氧化限制层(120)设置在垂直腔面发射激光器形成的光驻波的节点位置；所述的顶部p型DBR反射镜(121)包括多个第三折射率层和多个第四折射率层，所述的第三折射率层和第四折射率层均为AlGaAs层，所述第三折射率层的折射率低于第四折射率层的折射率；还包括自顶部p型DBR反射镜(121)向底部n型DBR反射镜(102)延伸的台面结构(130)，在所述的台面结构(130)的至少部分侧面设有介电涂层。