[发明专利]一种薄膜化质子导体电解质及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811460281.3 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN111261916B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 杨维慎;朱雪峰;胡世庆;张丽晓 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01M8/1253 分类号: H01M8/1253
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 毛薇;李馨
地址: 116000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种薄膜化质子导体电解质及其制备方法。该制备方法制备的质子导体电解质为钙钛矿结构氧化物,其结构特征组成为:BaZr1‑xMxO3‑δ;式中0≤x≤1,δ表示非化学计量氧;M选自Ce、Y、Al、Yb、Gd、Mg、Ti中的至少一种。该制备方法以萤石结构氧化物致密或多孔片为基体,基体的特征组成为Zr1‑xMxO2‑δ,式中x,M,δ含义与上述相同;在特定条件下与气相Ba源发生反应生成薄膜化的质子导体电解质,该薄膜化电解质的厚度小于10μm,气相Ba源选择BaCO3、Ba(NO3)2、Ba(CH3COO)2的一种。该制备方法有望用于固体氧化物燃料电池和电解池中。
搜索关键词: 一种 薄膜 质子 导体 电解质 及其 制备 方法
【主权项】:
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