[发明专利]一种薄膜化质子导体电解质及其制备方法有效
申请号: | 201811460281.3 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111261916B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 杨维慎;朱雪峰;胡世庆;张丽晓 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01M8/1253 | 分类号: | H01M8/1253 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 毛薇;李馨 |
地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
本发明公开一种薄膜化质子导体电解质及其制备方法。该制备方法制备的质子导体电解质为钙钛矿结构氧化物,其结构特征组成为:BaZr |
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搜索关键词: | 一种 薄膜 质子 导体 电解质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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