[发明专利]一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811451369.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109273598B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘儒平;石月;李烨;李路海;王慰;李仲晓 | 申请（专利权）人： | 北京印刷学院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 石墨 烯忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线复合石墨烯忆阻器，其特征在于，所述银纳米线复合石墨烯忆阻器包括：依次设置的顶层PET薄膜、柔性第一电极层、银纳米线复合石墨烯层、柔性第二电极层，以及从所述柔性第一电极层引出的第一电极和从所述柔性第二电极层引出的第二电极；所述柔性第一电极层包括PVDF压电薄膜及所述PVDF压电薄膜上表面镀设的氧化铟锡导电层；所述柔性第二电极层包括底层PET薄膜及所述底层PET薄膜上表面丝网印制的银导电层。
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