[发明专利]一种电平转换电路在审
| 申请号： | 201811388788.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109379074A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孔亮;刘亚东;庄志青 | 申请（专利权）人： | 灿芯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/017 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 李晓星 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电平转换电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的各自源极连接电源VDDIO；所述第一PMOS管的栅极连接控制信号ENIO；所述第二PMOS管和第三PMOS管的各自栅极连接所述第二PMOS管的漏极；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极。本发明通过对称结构的高速低增益比较器与传统电平转换组合产生了高速的、占空比较好的、且不漏电的高速电平转换电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电平转换电路 漏极 栅极连接 传统电平 对称结构 控制信号 源极连接 漏电 比较器 低增益 电源 转换 | ||
【主权项】：
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的各自源极连接电源VDDIO；所述第一PMOS管的栅极连接控制信号ENIO；所述第二PMOS管和第三PMOS管的各自栅极连接所述第二PMOS管的漏极；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的各自源极接地VSSIO；所述第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极和漏极、第三NMOS管的漏极以及第四NMOS管的栅极均连接所述第四PMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极和栅极以及第六NMOS管的栅极均连接所述第五PMOS管的漏极；所述第一PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极连接差分信号对；所述第三PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极连接并作为输出端OUT。
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