[发明专利]得自含胺引发的多元醇的固化剂的高去除速率化学机械抛光垫有效
| 申请号： | 201811387726.X | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109867764B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | B·钱;K-A·K·雷迪;G·C·雅各布;M·W·德格鲁特 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G18/66 | 分类号： | C08G18/66;C08G18/32;C08G18/10;B24B37/24;B24D18/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于抛光半导体衬底的CMP抛光垫，其含有抛光层，所述抛光层包含反应混合物的聚氨基甲酸酯反应产物，所述反应混合物包含15至30重量％的胺引发的多元醇和70至85重量％的芳香族二胺的(i)固化剂，所述多元醇具有平均3个至小于5个羟基且数均分子量为150至400，以及(ii)聚异氰酸酯预聚物，其数均分子量为600至5,000且未反应的异氰酸酯含量在6.5至11％范围内。所述CMP抛光垫的可调谐tanδ峰值温度为50至80℃，所述tanδ在所述tanδ峰值温度下的值为0.2至0.8，且可用于抛光多种衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 引发 多元 固化剂 去除 速率 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光衬底的化学机械(CMP)抛光垫，所述衬底选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一个，所述抛光垫包含适于抛光所述衬底的抛光层，所述抛光层是包含以下的反应混合物的聚氨基甲酸酯反应产物：15至30重量％的胺引发的多元醇和70至85重量％的芳香族二胺的(i)固化剂，所述多元醇具有平均3个至小于5个羟基且数均分子量为150至400，以及(ii)聚异氰酸酯预聚物，其数均分子量为600至5,000且未反应的异氰酸酯含量在6.5至11％范围内。
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