[发明专利]高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法、装置及模型在审
| 申请号： | 201811384152.0 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109710971A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 高阳;刘栋;庞辉;高冲;林畅 | 申请（专利权）人： | 国家电网有限公司;全球能源互联网研究院有限公司;国网冀北电力有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法和装置，将获取的电容放电曲线和流过半导体模块中IGBT器件的电流曲线分别代入预先构建的仿真模型，分别得到半导体单元和半导体模块中IGBT器件的评估参数；基于半导体单元中IGBT器件的评估参数和半导体模块中IGBT器件的评估参数对半导体模块中IGBT器件的可靠性进行评估；评估参数包括结温曲线、关断时刻和最高结温，仿真模型包括半导体单元。本发明得到的可靠性评估结果准确性高，能够准确反映仿真模型中IGBT器件在关断时刻的结温和电流值和直流断路器中IGBT器件在实际工况下的关断时刻的结温和电流值，为验证直流断路器中IGBT器件是否能够满足直流断路器特殊工况的要求提供基础，且简单易行，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体模块 评估参数 半导体单元 可靠性评估 直流断路器 仿真模型 关断时刻 高压直流断路器 结温 方法和装置 结果准确性 电流曲线 电容放电 实际工况 构建 验证 评估 | ||
【主权项】：
1.一种高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法，其特征在于，所述方法包括：将获取的电容放电曲线代入预先构建的仿真模型，得到仿真模型中半导体单元的IGBT器件的评估参数；将获取的流过半导体模块中IGBT器件的电流曲线代入预先构建的仿真模型，得到被评估的半导体模块中IGBT器件的评估参数；基于所述半导体单元中IGBT器件的评估参数和半导体模块中IGBT器件的评估参数对半导体模块中IGBT器件的可靠性进行评估；所述评估参数包括关断时刻对应的电流和最高结温；所述仿真模型包括半导体单元、IGBT电阻单元、放电等效单元和IGBT热阻单元；所述放电等效单元连接半导体单元，所述半导体单元通过IGBT电阻单元连接IGBT热阻单元。
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