[发明专利]一种适用于图像传感器的基准电压源电路结构有效
| 申请号： | 201811374462.4 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109491433B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 芮松鹏;蔡化;陈飞;高菊 | 申请（专利权）人： | 成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于图像传感器的基准电压源电路结构，基于双阱CMOS工艺下的常规一阶带隙基准源的结构，采用电流镜对节点X和节点Y进行钳位，去掉了常规电路中产生PTAT电压使用的电阻，采用NMOS管柱状结构进行替换，同时去掉输出支路的BJT，由产生PTAT电流的其中一个BJT复用，以此达到提供负温电压的目的。本发明可进一步提高芯片系统内部参考电压的噪声与PSRR特性，尽可能降低或消除在成像系统中，由于参考电压电流引入的噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 图像传感器 基准 电压 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种输出支路，其特征在于，包括由相连的两个NMOS管NMC1和NMC2构成的一柱状结构，所述柱状结构用于替代输出支路的电阻；其中，所述NMOS管NMC1的栅极和漏极相接，用于流经PTAT电流；所述NMOS管NMC2的栅极接NMOS管NMC1的栅极，源极接一BJT器件Q3的发射极，漏极接NMOS管NMC1的源极；所述BJT器件Q3的基极和集电极相接，并接电源负极，所述BJT器件Q3用于产生CTAT电压；所述NMOS管NMC1的源极与NMOS管NMC2的漏极共同接输出电压。
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