[发明专利]包含三嗪基、芴基和杂芴基的化合物在审
申请号: | 201811330890.7 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109942552A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 本杰明·舒尔策;黄强;张起砲;柳真铉 | 申请(专利权)人: | 诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社 |
主分类号: | C07D405/04 | 分类号: | C07D405/04;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及一种包含三嗪基、芴基和杂芴基的化合物。具体地,本发明涉及根据式1的化合物,所述化合物适用作电子器件的层材料,并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层,以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。 |
||
搜索关键词: | 有机半导体层 有机电子器件 三嗪基 杂芴 芴基 电子器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种式1化合物,
其中X选自O或S;Ar1选自C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C24芳基或者取代或未取代的C3至C36杂芳基;Ar2选自C1至C16亚烷基或选自未取代的亚芳基(C7)至(C11):
Ar3选自C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C36芳基或者取代或未取代的C3至C36杂芳基;并且其中Ar1的取代的C6至C24芳基或Ar1的取代的C3至C36杂芳基是单取代或二取代的,其中所述取代的C6至C24芳基和取代的C3至C36杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、F或CN;并且其中Ar3的取代的C6至C36芳基和Ar3的取代的C3至C36杂芳基是单取代或二取代的,其中所述取代的C6至C36芳基和取代的C3至C36杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、F或CN。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社,未经诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811330890.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。