[发明专利]一种基于钴镍氧化物的硝基呋喃类抗生素传感器的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201811306530.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109254048B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张勇;程荣琦;魏琴 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327;G01N21/76 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 高强 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于钴镍氧化物的硝基呋喃类抗生素传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了钴镍双金属氧化物纳米片阵列，利用其大的比表面积采用原位生长的方法，相继在钴镍双金属氧化物纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以硝基呋喃类抗生素为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种基于钴镍氧化物的硝基呋喃类抗生素传感器便制备完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 硝基 呋喃 抗生素 传感器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于钴镍氧化物的硝基呋喃类抗生素传感器的制备方法，其特征在于，所述的基于钴镍氧化物的硝基呋喃类抗生素传感器由钴镍双金属氧化物纳米片阵列电极CoNiO‑nanoarray上原位生长无模板分子分子印迹聚合物NIP得到的；所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP是不含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的不含有模板分子的分子印迹聚合物是由含模板分子分子印迹聚合物MIP经过洗脱模板分子得到的；所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP是含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的模板分子是硝基呋喃类抗生素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学，未经济南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811306530.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
