[发明专利]一种硝基呋喃类抗生素传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811306527.1 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109254046B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张勇;刘召壹;魏琴 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 高强 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硝基呋喃类抗生素传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了钴镍双金属层状氢氧化物纳米片阵列，利用其大的比表面积和高活性氢氧基官能团，以及聚多巴胺的氨基官能团，采用原位生长的方法，相继在钴镍双金属层状氢氧化物纳米片阵列上直接相继制备了含有电子媒介体的聚多巴胺薄膜和以硝基呋喃类抗生素为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种硝基呋喃类抗生素传感器便制备完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硝基 呋喃 抗生素 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硝基呋喃类抗生素传感器的制备方法，其特征在于，所述的硝基呋喃类抗生素传感器由钴镍双金属层状氢氧化物纳米片阵列电极CoNi LDH‑nanoarray上原位生长无模板分子分子印迹聚合物NIP得到的；所述的无模板分子分子印迹聚合物NIP是不含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的不含有模板分子的分子印迹聚合物是由含模板分子分子印迹聚合物MIP经过洗脱模板分子得到的；所述的含模板分子分子印迹聚合物MIP是含有模板分子的分子印迹聚合物；所述的模板分子是硝基呋喃类抗生素。
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