[发明专利]一种具有温度补偿的SiC MOSFET短路检测电路和方法在审
| 申请号： | 201811294802.2 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109061375A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭希铮;游小杰;王琛琛;王剑;周明磊;郝瑞祥;刘伟志;刘冰;刘东辉;祝文昭;马颖涛;靳超;李水昌;李志坚 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学;北京纵横机电技术开发公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02;G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 麻吉凤 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种具有温度补偿的SiC MOSFET短路检测电路和方法。该检测电路包括：参考电压产生电路、短路检测电路、短路检测电路、SiC MOSFET和软关断电路；参考电压产生电路通过正温度系数热敏电阻，根据环境温度及SiC MOSFET结温变化产生不同的参考电压，并将参考电压输入短路检测电路，逻辑信号处理电路通过FPGA产生两种不同的故障检测盲区时间发送到短路检测电路，短路检测电路在短路工况下，基于饱和压降和逻辑处理检测SiC MOSFET的短路故障，输出故障信号，并产生驱动信号发送到软关断电路，软关断电路接收驱动信号后，将SiC MOSFET在短路工况下进行安全关断。本发明能够快速响应，灵活设置盲区时间，提高SiC MOSFET应用的可靠性，满足大功率SiC MOSFET驱动保护的使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 短路检测电路 参考电压产生电路 软关断电路 参考电压 温度补偿 短路 盲区 正温度系数热敏电阻 接收驱动信号 逻辑信号处理 饱和压降 短路故障 故障检测 关断电路 检测电路 快速响应 灵活设置 逻辑处理 驱动信号 输出故障 关断 结温 电路 检测 应用 安全 | ||
【主权项】：
1.一种具有温度补偿的SiC MOSFET短路检测电路，其特征在于，包括：参考电压产生电路、逻辑信号处理电路、短路检测电路、SiC MOSFET和软关断电路，所述参考电压产生电路、短路检测电路和SiC MOSFET依次连接，所述短路检测电路分别与所述逻辑信号处理电路、所述软关断电路连接，所述软关断电路与所述SiC MOSFET连接；所述参考电压产生电路，用于通过正温度系数热敏电阻，根据环境温度及所述SiC MOSFET结温变化产生不同的参考电压，并将参考电压输入所述短路检测电路；所述逻辑信号处理电路，用于通过FPGA产生两种不同的故障检测盲区时间并发送到所述短路检测电路；所述短路检测电路，用于在短路工况下，基于饱和压降和逻辑处理检测所述SiC MOSFET的短路故障，输出故障信号，以及产生驱动信号发送到所述软关断电路；所述软关断电路，用于接收所述短路检测电路的驱动信号，将所述SiC MOSFET在短路工况下进行安全关断。
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