[发明专利]一种低压差线性稳压器在审

专利信息
申请号: 201811292040.2 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109240404A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 许美程;唐一倩;沈剑均 申请(专利权)人: 南京集澈电子科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种低压差线性稳压器,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1,所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc,所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连,所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地,并与误差放大器AMP1的输出相连,所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连,所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3,第三MOS管M3的源极接地,所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1,所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。本发明与现有技术相比的优点在于:同时具备快速反馈和慢速反馈双路反馈环路。
搜索关键词: 漏极 低压差线性稳压器 误差放大器 电阻 源极 反馈 反馈环路 源极接地 电源Vcc 电容 接地 慢速 双路 输出
【主权项】:
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于:包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1,所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc,所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连,所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连,所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地,并与误差放大器AMP1的输出相连,所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连,所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3,第三MOS管M3的源极接地,所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1,所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。
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