[发明专利]一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法有效
| 申请号： | 201811280608.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109449411B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 黄剑锋;罗晓敏;曹丽云;李嘉胤;席乔;郭玲;王泽坤;王芳敏 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，将二水合钨酸钠加入去离子水中搅拌至溶解形成溶液A，然后加入葡萄糖和PVP，混合均匀，调节pH值为1.3～1.7，在150～180℃下水热反应12～24h，洗涤，干燥，得到WO |
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| 搜索关键词： | 一种 合成 硫化 复合 电极 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将二水合钨酸钠加入去离子水中搅拌至溶解形成溶液A，然后加入葡萄糖和PVP，混合均匀，调节pH值为1.3～1.7，在150～180℃下水热反应12～24h，洗涤，干燥，得到WO3@C粉体；步骤二：按摩尔比1:(10～30)，将WO3@C与硫脲混合后在氩气气氛下煅烧得到WS2@C复合材料。
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