[发明专利]未对齐写入的处理有效

专利信息
申请号: 201811276381.0 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109840215B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: R.穆蒂亚;R.拉马默西;B.T.温卡塔拉马南 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“未对齐写入的处理”。本发明公开了一种存储系统的一个或多个控制电路,所述存储系统的所述一个或多个控制电路被配置为合并感测与传输,其中感测为针对一个未对齐写入命令的预填充和/或后填充数据,传输为针对先前感测的另一个未对齐写入命令的预填充和/或后填充数据。通过合并所述感测与所述传输,在对一组两个或更多个未对齐写入命令的数据进行编程时节省了大量的时间。另外,在一个方面,对多个未对齐写入命令执行单个编程操作。一些常规解决方案可能需要对每个未对齐写入命令执行编程操作。因此,所述存储系统节省了大量的编程时间。此外,所述存储系统可以减少写入放大。
搜索关键词: 对齐 写入 处理
【主权项】:
1.一种设备,包括:存储管芯(108),所述存储管芯具有存储单元(126);数据缓冲器(34);和一个或多个控制电路(110、112、114、116、122、124、132、128、150),所述一个或多个控制电路被配置为:将未对齐数据接收到所述数据缓冲器中,所述未对齐数据用于多个未对齐写入命令;同时进行感测与传输,其中所述感测是针对来自所述未对齐写入命令中的一个的所述存储管芯上的存储单元的填充数据,所述传输是针对先前感测的填充数据从所述存储管芯上的存储单元传输到所述未对齐写入命令中的另一个的所述数据缓冲器;将用于所述未对齐写入命令中的每一个的对齐数据从所述数据缓冲器传输到所述存储管芯;以及将所述对齐数据编程到所述存储管芯上的存储单元组中。
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