[发明专利]一种低噪声开关跨导混频器有效

专利信息
申请号: 201811268084.1 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN109309480B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 郭本青;王雪冰;陈鸿鹏;陈俊 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03D7/16 分类号: H03D7/16
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于CMOS射频集成电路领域,具体提供一种低噪声开关跨导混频器,包括:第一跨导输入级、第二跨导输入级、第三跨导输入级、第四跨导输入级、开关混频级、有源输出负载级、第一谐振电路、第二谐振电路;本发明低噪声开关跨导混频器采用三角本振信号驱动本振管的栅极,避免对本振驱动电路的负载效应,将跨导输入级的射频输入信号转化为中频信号输出;此外,引入谐振电路,改善开关管的切换时间,使得电路的增益、噪声得到优化。
搜索关键词: 一种 噪声 开关 混频器
【主权项】:
1.一种低噪声开关跨导混频器,包括:第一跨导输入级、第二跨导输入级、第三跨导输入级、第四跨导输入级、开关混频级、有源输出负载级、第一谐振电路、第二谐振电路;其特征在于,所述第一谐振电路包括:第一电感L1、第一电容C1、第三电容C3,所述第一电感与第一电容并联后、一端作为第一谐振电路的第一端、另一端串联第三电容后接地;所述第二谐振电路包括:第二电感L2、第二电容C2、第四电容C4,所述第二电感与第二电容并联后、一端作为第二谐振电路的第一端、另一端串联第四电容后接地;所述开关混频级包括:第一晶体管M1、第二晶体管M2,所述第一晶体管的栅极接电压VLO+、源级接地、漏极作为开关混频级的第一端,所述第二晶体管的栅极接电压VLO‑、源级接地、漏极作为开关混频级的第二端;所述第一跨导输入级包括:第三晶体管M3,所述第三晶体管的栅极接电压VRF+、源级作为第一跨导输入级的第一端、漏极作为第一跨导输入级的第二端;所述第二跨导输入级包括:第四晶体管M4,所述第四晶体管的栅极接电压VRF‑、源级作为第二跨导输入级的第一端、漏极作为第二跨导输入级的第二端;所述第三跨导输入级包括:第五晶体管M5,所述第五晶体管的栅极接电压VRF‑、源级作为第三跨导输入级的第一端、漏极作为第三跨导输入级的第二端;所述第四跨导输入级包括:第六晶体管M6,所述第六晶体管的栅极接电压VRF+、源级作为第四跨导输入级的第一端、漏极作为第四跨导输入级的第二端;所述第一跨导输入级的第一端、第二跨导输入级的第一端、第一谐振电路的第一端均与所述开关混频级的第一端相连,所述第三跨导输入级的第一端、第四跨导输入级的第一端、第二谐振电路的第一端均与所述开关混频级的第二端相连,所述第一跨导输入级的第二端、第三跨导输入级的第二端均与所述有源输出负载级第一端VIF+相连,所述第二跨导输入级的第二端、第四跨导输入级的第二端均与所述有源输出负载级第二端VIF‑相连。
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