[发明专利]固相基底、其处理方法和确定处理条件的方法有效
| 申请号： | 201811250804.1 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111100785B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赵智;高锦鸿;颜钦;赵陆洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市真迈生物科技有限公司 |
| 主分类号： | C12M1/34 | 分类号： | C12M1/34;C12M1/00;C40B50/18;C40B40/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区清水*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种固相基底、其处理方法和确定处理条件的方法，该固相基底具有至少一个硅烷化的表面，所述表面为暴露于特定环境中一定时长的表面，该表面能够实现固定到其上的核酸分子的量达到期望值，所述特定环境为惰性气体环境，所述特定环境的温度选自37℃至60℃，所述一定时长满足预设关系，所述预设关系为所述表面暴露于所述特定环境的时长和该表面能够固定上的核酸分子的量之间的关系。本发明提高了芯片老化实验的准确性，能够准确地用于指导芯片的生产或研发，尤其能够适用对芯片高要求的应用情景。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 方法 确定 条件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市真迈生物科技有限公司，未经深圳市真迈生物科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811250804.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：运动轨迹合成方法及电子设备
- 下一篇：固相基底、其处理方法和用途
