[发明专利]一种带有空气隙DBR的VCSEL结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种带有空气隙DBR的VCSEL结构，包括背面设有N面电极的导电衬底，导电衬底的表面自下而上依次生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，量子阱有源区表面一区域生长有氧化限制层，氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，P型DBR的表面设有空气隙DBR，SiO2填充层的表面设有P面电极。本发明还提供一种前述VCSEL结构的制备方法，其空气隙DBR是通过氧化和腐蚀工艺，在出光孔处形成AlGaAs/air材料的DBR结构，且在两侧留有未被氧化和腐蚀的高Al组分AlGaAs作为支撑材料。本申请通过采用空气隙结构DBR，增大了DBR材料的折射率差。

主权项

1.一种带有空气隙DBR的VCSEL结构，其特征在于，包括导电衬底，所述导电衬底的背面设有N面电极，所述导电衬底的表面自下而上依次外延生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，所述量子阱有源区表面的一区域外延生长有圆形氧化限制层，所述圆形氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，所述圆形氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在所述铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，所述P型DBR的表面设有空气隙DBR，所述SiO2填充层的表面设有与P型DBR电连接且与空气隙DBR匹配的P面电极。