[发明专利]基于皮亚诺LS算法填充曲线的开槽超宽频UC-EBG结构在审

专利信息
申请号: 201811244590.7 申请日: 2018-10-24
公开(公告)号: CN109449577A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 田慧平;杨二兵;陈硕 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明是基于皮亚诺LS算法填充曲线(Peano LS algorithm space‑filling curve,PSF)的开槽共面紧凑型电磁带隙(Uniplanar Compact Electromagnetic Band Gap,UC‑EBG)结构,属于电磁传播与接收的技术领域。本发明提出了基于皮亚诺LS算法曲线结构填充到不同区域内的UC‑EBG结构,如摘要附图,(a)表示将基于皮亚诺LS算法第三次迭代结构填充到镂空的正方形中简称SP‑UC‑EBG,(b)表示将基于皮亚诺LS算法第三次迭代结构填充到以皮亚诺曲线与正方形的组合的区域内简称PP‑UC‑EBG。本发明设计的分形UC‑EBG结构具有超宽带、带隙可调的特点。在相同结构不变的情况下,本发明通过改变结构的尺寸,可得到不同的带宽,在填充区域不变的情况下改变不同的镂空边界,也可得到不同的带宽,本发明设计的两款EBG结构可广泛应用于PCS、Bluetooth、Wi‑max、60GHz高频以及微波天线中。
搜索关键词: 填充 迭代结构 镂空 开槽 带宽 带隙可调 电磁传播 电磁带隙 改变结构 曲线结构 微波天线 摘要附图 超宽带 超宽频 分形 应用
【主权项】:
1.提出了基于皮亚诺LS算法曲线结构填充到不同的外形区域内,得到两款超宽带EBG结构,其特征在于:SP‑UC‑EBG、PP‑UC‑EBG,填充的曲线结构都为皮亚诺LS算法第三次迭代,不同是镂空的外形结构,其中SP‑UC‑EBG是将PSF填充到镂空的正方形中,PP‑UC‑EBG是将基于皮亚诺LS算法三次迭代结构填充到改进型的皮亚诺LS算法与正方形组合的镂空区域内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京邮电大学,未经北京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811244590.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top