[发明专利]一种B4

摘要

本发明提出一种B4C纳米带的制备方法，包括步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结与取料：将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结，烧结温度达到1400℃时，在保护气体环境下保持该温度0.5h~1.5h，通过气相沉积法制备B4C纳米带，之后当温度下降后，即得到B4C纳米带。通过上述制备方法制得的纳米带为具有均匀宽度和厚度的单晶B4C纳米带，上述制备方法能够在简化工艺流程、缩短制备时间的前提下，使B4C纳米带仍保持较高的纯度和转化率，使生产成本显著降低，具有较为广阔的应用前景。

主权项

1.一种B4C纳米带的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物，其中所述聚氨硼烷的摩尔百分含量为30％～40％，所述聚碳硅烷的摩尔百分含量为60％～70％；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃～60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结与取料：将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结，烧结温度达到1400℃时，在保护气体环境下保持该温度0.5h～1.5h，即保温时间为0.5h～1.5h，通过气相沉积法制备B4C纳米带，之后当温度下降后，即可取出烧结产物，即B4C纳米带。