[发明专利]曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201811218567.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN110187606B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张赞三 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法。所述曝光设备包括：用于晶圆的平台；第一光源，产生第一光束；曝光光学系统，接收第一光束，并且将第一光束作为曝光光束引导到晶圆的场中的曝光区域上；以及加热单元，包括产生第二光的第二光源，并且通过将第二光施加到曝光区域来加热曝光区域。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 设备 使用 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光设备，所述曝光设备包括：用于晶圆的平台；第一光源，产生第一光束；曝光光学系统，接收第一光束，并且将第一光束作为曝光光束引导到晶圆的场中的曝光区域上；以及加热单元，包括第二光源，第二光源产生将被引导到曝光区域上的第二光束，以加热曝光区域。
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