[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811215895.5 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109698271B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郑智贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造可变电阻存储器件的方法。该方法包括：在第一导电层上形成开关层；在所述开关层上形成加热层，所述加热层沿第一方向延伸；对所述第一导电层、所述开关层和所述加热层执行第一图案化工艺，以形成沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一沟槽；在所述加热层上形成可变电阻图案；在所述可变电阻图案上形成第二导电层；以及对所述开关层、所述加热层和所述第二导电层执行第二图案化工艺，以形成沿所述第一方向延伸并且在所述可变电阻图案之间的第二沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造可变电阻存储器件的方法，包括：在第一导电层上形成开关层；在所述开关层上形成加热层，所述加热层沿第一方向延伸；对所述第一导电层、所述开关层和所述加热层执行第一图案化工艺，以形成沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第一沟槽；在所述加热层上形成可变电阻图案；在所述可变电阻图案上形成第二导电层；以及对所述开关层、所述加热层和所述第二导电层执行第二图案化工艺，以形成沿所述第一方向延伸并且位于所述可变电阻图案之间的第二沟槽。
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