[发明专利]MSM型X射线探测器、电子设备在审
| 申请号： | 201811213295.5 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109407141A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘晓惠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MSM型X射线探测器、电子设备。一种MSM型X射线探测器，包括多个像素单元，每个像素单元包括依次设置的包含源漏极图案的第二层和包含第二公共电极图案的第三层；第二公共电极图案和源漏极图案之间的耦合电容小于或等于设定阈值，以降低MSM型X射线探测器中各像素单元的热噪声。本实施例中通过调整第二公共电极图案与源漏极图案之间的耦合电容，使耦合电容小于或等于设定阈值，从而可以降低源漏极图案中漏极所连接数据线上的热噪声。另外，通过将第一公共电极和/或第二公共电极所连接电源的电压调整为负电压，可以降低与第一公共电极或第二公共电极相关的耦合电容的漏电流，降低像素开关管TFT所产生的噪声，有利于提高检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 公共电极 耦合电容 源漏极 公共电极图案 像素单元 图案 电子设备 热噪声 连接数据线 电压调整 连接电源 像素开关 依次设置 第三层 负电压 漏电流 漏极 噪声 检测 | ||
【主权项】：
1.一种MSM型X射线探测器，包括多个像素单元，其特征在于，每个像素单元包括依次设置的包含源漏极图案的第二层和包含第二公共电极图案的第三层；所述第二公共电极图案和所述源漏极图案之间的耦合电容小于或等于设定阈值，以降低所述MSM型X射线探测器中各像素单元的热噪声。
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