[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 201811200397.3 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109669326B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 市桥直晃;川井康裕;怒健一 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/147 分类号: G03G5/147
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件具有筒形状并在表面包括多个凹部,其中,凹部的开口面积的总和为电子照相感光构件的表面层的总面积的5%以上且65%以下,凹部的深度的平均值davg满足以下表达式1:0.4μm≤davg≤3.0μm,具有特定的深度d的凹部的开口面积的总和为凹部的开口面积的总和的95%以上,凹部的开口的在电子照相感光构件的周向上的最大宽度的平均值Lavg为20μm以上且200μm以下,并且电子照相感光构件具有至少一个区域B。
搜索关键词: 电子 照相 感光 构件 处理 设备
【主权项】:
1.一种电子照相感光构件,其具有筒形状,所述电子照相感光构件的表面包括多个凹部,其特征在于,所述凹部的开口面积的总和为所述电子照相感光构件的表面层的总面积的5%以上且65%以下,所述凹部的深度的平均值davg满足以下表达式1,0.4μm≤davg≤3.0μm  表达式1具有满足以下表达式2的深度d的凹部的开口面积的总和为所述凹部的开口面积的总和的95%以上,davg‑0.2μm≤d≤davg+0.2μm  表达式2所述凹部的开口的在所述电子照相感光构件的周向上的最大宽度的平均值Lavg为20μm以上且200μm以下,并且所述电子照相感光构件的表面上具有至少一个区域B,其中,带Y0是,当所述凹部的开口的在所述电子照相感光构件的轴向上的最大宽度的平均值被定义为Wavg时,包括线LY0并且具有4×Wavg的宽度的环状带,所述线LY0作为中心线经过所述电子照相感光构件的在所述轴向上的中心;线X0是,i)如下的线:当所述带Y0中连续地存在50%以上的开口面积包括在所述带Y0中并且深度是0.5×davg以下的两个或更多个浅凹部时,该线沿所述电子照相感光构件的轴向、经过线段的中心点并且正交于所述带Y0,所述线段为连接连续存在的所述浅凹部中的位于所述周向上的两端处的两个凹部的最深位置的线段;或者ii)如下的线:当所述带Y0中单独存在50%以上的开口面积包括在所述带Y0中并且深度是0.5×davg以下的浅凹部时,该线沿所述电子照相感光构件的轴向、经过所述浅凹部的最深位置并且正交于所述带Y0;区域A是,在所述电子照相感光构件的表面上的,由如下的沿周向的线和沿轴向的线划分的200μm×200μm的四边形区域:所述沿周向的线与所述线LY0平行地形成并且被配置为所述沿周向的线彼此间具有200μm的间隔,所述沿轴向的线在直到与所述线X0间隔开35mm的位置的区域中与所述线X0平行地形成并且被配置为所述沿轴向的线彼此间具有200μm的间隔;所述区域A是如下的四边形区域:深度为0.5×davg以下的浅凹部的数量与50%以上的开口面积包括在所述四边形区域中的凹部的总数量的比为25%以上;区域B是由在所述区域A的四条边或四个角中的任一者彼此接触的区域A的集合体中的满足以下条件1的集合体形成的区域;并且条件1是:所述集合体的在所述电子照相感光构件的所述轴向上的长度是凹部形成区域的在所述电子照相感光构件的所述轴向上的最大长度的90%以上,所述集合体的在所述电子照相感光构件的所述周向上的长度是所述凹部形成区域的在所述电子照相感光构件的所述轴向上的最大长度的1%以上且10%以下,并且当在以所述电子照相感光构件的所述轴向为X方向且所述电子照相感光构件的所述周向为Y方向的正交坐标系中通过最小二乘法对构成所述集合体的各所述区域A的中心点进行二次函数近似时,近似曲线的相关系数R为0.5以上。
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