[发明专利]一种提高铁锰硅基形状记忆合金可恢复应变的方法有效

专利信息
申请号: 201811193767.5 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109182662B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 彭华备;雍立秋;赵兴保;王改霞;文玉华 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C21D1/00 分类号: C21D1/00;C21D6/00;C22C38/06;C22C38/34;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/48;C22C38/50;C22C38/52;C22C38/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种提高铁锰硅基形状记忆合金可恢复应变的方法,属形状记忆合金领域。本发明制备的铁锰硅基形状记忆合金的可恢复应变不低于6%。具体步骤如下:先将经锻造或轧制或拉拔的铁锰硅基形状记忆合金在1250℃~1310℃处理0.5小时至3小时;随后以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1000℃~1200℃后水冷至室温。经该方法处理后铁锰硅基形状记忆合金的奥氏体晶粒平均尺寸≥500微米。
搜索关键词: 铁锰硅基形状记忆合金 可恢复 形状记忆合金 奥氏体晶粒 轧制 速度冷却 拉拔 水冷 制备 锻造
【主权项】:
1.一种提高铁锰硅基形状记忆合金可恢复应变的方法,其特征在于,所述铁锰硅基形状记忆合金含有Fe、Mn、Si、Cr元素,并包含Ni、Co、V、Mo、Al、C和N元素中的一种或多种,合金中各元素的重量百分比含量为:Mn 13~28%,Si 4~7%,Cr 2~14%,Ni 0~8%,Ti 0~1%,Nb 0~2%,Cu 0~1%,Co 0~2%,V 0~2%,Mo 0~2%,Al 0~3%,C 0~0.2%,N 0~0.2%,余为Fe和不可避免的杂质;具体步骤如下:先将经锻造或轧制或拉拔的铁锰硅基形状记忆合金在1250℃~1310℃处理0.5小时至3小时;随后以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1000℃~1200℃后水冷至室温。/n
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