[发明专利]一种对环境因素敏感的忆阻器的制备方法

摘要

本发明公开了一种对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：S1：清洗衬底；S2：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：在控溅射获得Cu2ZnSnSe4薄膜；S3：溅射沉积BiFeO3薄膜：经步骤S2处理后，在Cu2ZnSnSe4薄膜上磁控溅射获得BiFeO3薄膜；S4：制备上电极：在沉积好的BiFeO3薄膜表面沉积上电极，获得对环境因素敏感的忆阻器。本发明提供的对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，步骤简单，可操作性强，适于产业化生产；所制备的忆阻器件，表现出优异的忆阻性能，器件结构简单、重复性好、成本低，在新型存储器、未来外太空的探索等电子器件领域具有很好的应用前景。

主权项

1.一种对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中；S2：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：在磁控溅射靶枪上安装Cu2ZnSnSe4化合物靶材，Cu、Zn、Sn、Se原子比为2:1:1:4，设靶基距为8‑12cm，在磁控溅射腔室本底抽真空后，通入高纯氩气作为工作气体，设置溅射气压为0.5～1.0Pa(溅射气压的大小直接会影响薄膜的致密度)，衬底温度为200～300℃(衬底温度高低会影响晶向分布)，溅射功率80～100W/cm2，溅射时间为20～30min，获得Cu2ZnSnSe4薄膜；S3：溅射沉积BiFeO3薄膜：经步骤S2处理后，在磁控溅射靶枪上安装BiFeO3化合物靶材，Bi、Fe、O原子比为1:1:3，设置靶基距为8‑12cm，对磁控溅射腔室抽本底真空后，通入高纯氩气作为工作气体，设置溅射气压为0.5～1.0Pa，衬底温度为室温，溅射功率为80～100W/cm2，溅射时间为15～20min，获得BiFeO3薄膜；S4：制备上电极：在沉积好的BiFeO3薄膜表面沉积上电极，获得对环境因素敏感的忆阻器。