[发明专利]用于0V电池充电的逻辑控制电路、电池保护芯片和电路

摘要

本发明实施例涉及一种用于0V电池充电的逻辑控制电路、电池保护芯片和电路，该逻辑控制电路包括：耐压保护模块、充电控制电位锁定和电位平移模块；通过耐压保护模块将充放电检测信号输入端CS的电位提高到所需电位，通过耐压保护模块输出端CS1提供给充电控制电位锁定和电位平移模块；充电控制电位锁定和电位平移模块中的充电控制电位锁定模块在0V电池接入充电器后，将电池保护电路中的充电控制用晶体管的栅极控制端子OC的电位固定在电源正输入端子VDD的电位；电位平移模块将高/低电平为VDD/0V的输入信号转变成高/低电平为VDD/CS1的输出信号，用以控制充电控制用晶体管的导通和关断。

主权项

1.一种用于0V电池充电的逻辑控制电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：耐压保护模块、充电控制电位锁定和电位平移模块；所述耐压保护模块的输入端为充放电检测信号输入端CS，输出端为CS1，电阻R6串接于所述充放电检测信号输入端CS与耐压保护模块输出端CS1之间；当充放电检测信号输入端CS的电压为正时，耐压保护模块输出端CS1的电压与充放电检测信号输入端CS的电压相同；当充放电检测信号输入端CS的电压为负时，耐压保护模块输出端CS1的电压相对于充放电检测信号输入端CS的电压具有δV的正压差；δV的大小与耐压保护模块输出端CS1的电压具有函数关系；所述充电控制电位锁定和电位平移模块包括:充电控制电位锁定模块和电位平移模块；所述充电控制电位锁定和电位平移模块的输入端为充放电检测信号输入端CS、耐压保护模块输出端CS1和电池保护电路内部充电控制信号的倒相信号COUTB，输出端为电池保护电路中的充电控制用晶体管的栅极控制端子OC；其中，所述充电控制电位锁定模块包括第一PMOS晶体管P8、第二PMOS晶体管P9、第一NMOS晶体管N7和电阻R4；其中，第一PMOS晶体管P8和第一NMOS晶体管N7的栅极均与电源负输入端子VSS连接，电阻R4串联连接于第一PMOS晶体管P8和第一NMOS晶体管的漏极之间；第一NMOS晶体管的源极与耐压保护模块输出端CS1相连；第一PMOS晶体管P8和第二PMOS晶体管P9的源极均与电源正输入端子VDD连接，第一PMOS晶体管P8的漏极与第二PMOS晶体管P9的栅极相连接；第二PMOS晶体管P9的漏极与栅极控制端子OC相接；在电源负输入端子VSS的电压与耐压保护模块输出端CS1的电压之间的压差大于设定阈值时，所述栅极控制端子OC的电压等于电源正输入端子VDD的电压；所述电位平移模块包括第三PMOS晶体管P10和电阻R5；其中，第三PMOS晶体管P10的栅极接所述信号COUTB，源极与电源正输入端子VDD连接，第三PMOS晶体管P10的漏极与所述栅极控制端子OC相接，电阻R5串接在充放电检测信号输入端CS与所述栅极控制端子OC之间，对栅极控制端子OC的电位进行提升，将高/低电平为VDD/0V的输入信号转变成高/低电平为VDD/CS1的输出信号，用以控制所述充电控制用晶体管的导通和关断。