[发明专利]一种系统级封装模组结构的快速测试方法

摘要

本发明公开了一种系统级封装模组结构的快速测试方法，包括如下步骤：101）测试板处理步骤、102）测试板二次处理步骤、103）测试步骤；本发明提供单位面积内大密度集成模组的一种系统级封装模组结构的快速测试方法。

主权项

1.一种系统级封装模组结构的快速测试方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）测试板处理步骤：通过光刻、刻蚀工艺在测试板上表面制作TSV孔，TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；在测试板上表面通过沉积氧化硅或者氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层结构采用一层或多层，种子层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种；通过电镀铜，使铜金属充满TSV孔，并在200到500度温度下密化铜，用CMP工艺使测试板表面只剩下填铜形成铜柱；通过光刻、电镀工艺制作RDL，其先制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其材质采用氧化硅或者氮化硅，再通过光刻、电镀工艺在测试板表面制作RDL，RDL包括走线和键合功能的焊盘；其中通过光刻，电镀工艺在测试板表面制作键合金属形成焊盘，焊盘高度范围在10nm到1000um，焊盘的金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，其本身结构采用一层或多层；102）测试板二次处理步骤：对测试板的下表面进行减薄，减薄后厚度在100um到700um之间；通过光刻、湿法腐蚀和干法刻蚀的工艺在测试板的下表面制作开窗，使铜柱一端露出，在露出的铜柱表面覆盖绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，绝缘层采用氧化硅或者氮化硅，再通过光刻、刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，开窗后使铜柱露出；或者通过光刻、电镀工艺在测试板的下表面制作bumping，其直径范围在10nm到1000um，高度范围为10nm到1000um；bumping金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多总种，bumping金属结构采用一层或多层；103）测试步骤：将射频封装模组以一定距离固定在载板上，在测试板下表面涂各向异性导电胶，通过晶圆级工艺把测试板和载板键合在一起，通过在测试板背面扎针达到测试的目的。