[发明专利]一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811134462.7 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109115358A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 侯晓伟;王飞;郑良广;杨玉钊 | 申请（专利权）人： | 宁波中车时代传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18;B81B7/02 |
| 代理公司： | 宁波天一专利代理有限公司 33207 | 代理人： | 徐良江 |
| 地址： | 315021 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，包括绝缘基底、铂薄膜电阻温度传感器、聚酰亚胺薄膜，绝缘基底为硅基底或氧化铝陶瓷基底上沉积氧化硅绝缘层制成，绝缘基底之上沉积有铂薄膜电阻温度传感器，铂薄膜电阻温度传感器呈阵列分布，铂薄膜电阻温度传感器上由聚酰亚胺薄膜保护层覆盖，铂薄膜电阻温度传感器与基底绝缘层之间有一层钛金属层，钛金属层的厚度为10nm~20nm。还公开了所述微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 温度传感器 铂薄膜电阻 微机电系统 铂薄膜 阵列式 基底 绝缘 聚酰亚胺薄膜 钛金属层 沉积 制备 氧化硅绝缘层 氧化铝陶瓷基 基底绝缘层 阵列分布 保护层 硅基 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述传感器包括绝缘基底、铂薄膜电阻温度传感器、聚酰亚胺薄膜，绝缘基底为硅基底或氧化铝陶瓷基底上沉积氧化硅绝缘层制成，绝缘基底之上沉积有铂薄膜电阻温度传感器，铂薄膜电阻温度传感器呈阵列分布，铂薄膜电阻温度传感器上由聚酰亚胺薄膜保护层覆盖。
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