[发明专利]高电压启动电路及开关模式电源有效
| 申请号： | 201811123817.2 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109951064B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 崔志远;郑相焄;吴东星;金炳基 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/36 | 分类号： | H02M1/36;H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种高电压启动电路及开关模式电源。一种高电压启动电路包括：电源端，被配置为供应电力；锁存单元，连接到电源端并包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管、连接到第一PMOS晶体管的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及连接到第二PMOS晶体管的第二NMOS晶体管，其中，这些晶体管形成锁存结构；电荷分享单元，包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器被配置为将第一电压供应给第二PMOS晶体管的漏极，第二电容器被配置为将第二电压供应给第一PMOS晶体管的漏极；切换单元，被配置为：形成基于第一电压和第二电压使用从电源端供应的电压作为电源电压对外部电容器进行充电的电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 启动 电路 开关 模式 电源 | ||
【主权项】：
1.一种高电压启动电路，包括：电源端，被配置为供应电力；锁存单元，连接到电源端并包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管、连接到第一PMOS晶体管的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及连接到第二PMOS晶体管的第二NMOS晶体管，其中，第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管、以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成锁存结构；电荷分享单元，包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器被配置为将第一电压供应给第二PMOS晶体管的漏极，第二电容器被配置为将第二电压供应给第一PMOS晶体管的漏极；切换单元，被配置为：形成基于第一电压和第二电压使用从电源端供应的电压作为电源电压对外部电容器进行充电的电流路径。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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