[发明专利]一种用于提高半导体腔体铝溶射层使用寿命的溶射工艺在审
| 申请号： | 201811103122.8 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109182945A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 何新玉;赵浩;王慧 | 申请（专利权）人： | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C4/02 | 分类号： | C23C4/02;C23C4/08;C23C4/129;C23C4/131 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于提高半导体腔体铝溶射层使用寿命的溶射工艺，溶射工艺包括以下步骤：1)预处理喷砂；2)清洗干燥；3)火焰溶射制备底溶射层；4)在底溶射层上利用电弧溶射制备工作层溶射层；5)清洗干燥，在1)预处理喷砂前，对部件待溶射的表面加工连续的V形槽，开槽深度为0.1～0.2mm。该工艺能够获得具有高粗糙度和高结合力的溶射层。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 半导体腔体 清洗干燥 使用寿命 喷砂 制备 电弧 表面加工 高粗糙度 高结合力 工作层 开槽 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高半导体腔体铝溶射层使用寿命的溶射工艺，溶射工艺包括以下步骤：1)预处理喷砂；2)清洗干燥；3)超音速火焰溶射制备底溶射层；4)在底溶射层上利用电弧溶射制备工作层溶射层；5)清洗干燥，其特征在于：在1)预处理喷砂前，对部件待溶射的表面加工连续的V形槽，开槽深度为0.1～0.2mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
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