[发明专利]NAND存储器及其访问方法、访问装置在审
申请号: | 201811087378.4 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109273042A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 井冲 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开一种NAND存储器及其访问方法、访问装置,所述NAND存储器中的存储块被划分为多个存储空间大小相同的子存储块,且每个子存储块设置有子存储块地址,因此,当NAND存储器中的几个字线存在缺陷时,即检测到缺陷字线时,可以将缺陷字线所对应的子存储块标记为坏块,而不是将缺陷字线对应的存储块整块标记为坏块,从而扩展了NAND存储器的可用空间,充分利用了存储块中未出现缺陷字线对应的子存储块的存储空间,改善了存储空间浪费的问题。NAND存储器访问方法和访问装置,应用于所述NAND存储器,并基于所述NAND存储器的子存储块坏块表,进行数据存储,使得数据存储能够充分利用存储空间,减少存储空间的浪费量。 | ||
搜索关键词: | 存储 存储空间 字线 访问装置 数据存储 坏块 存储块地址 可用空间 坏块表 访问 整块 检测 申请 应用 | ||
【主权项】:
1.一种NAND存储器,其特征在于,所述存储器包括至少一个存储块,每个所述存储块包括多个字线组以及至少一条虚字线;所述存储器还包括:多个子存储块;其中,每个所述存储块划分为多个存储空间大小相同的子存储块,每个所述子存储块设置有子存储块地址。
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