[发明专利]一种低噪声高转换增益的上变频混频器在审
| 申请号： | 201811077632.2 | 申请日： | 2018-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109347444A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张为;文枭鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14;H03D7/16 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低噪声高转换增益的上变频混频器，其特征在于，包括：输入跨导单元将中频电压信号(IF+、IF‑)转换为射频电流信号；开关单元在本振电压信号(LO+、LO‑)的开关控制下，将输入跨导单元输出的中频电流信号通过电流换向变频，产生射频电流信号；负载单元将开关单元输出的电流信号转换为射频电压信号，差分射频电压信号(RF+、RF‑)从开关单元和负载单元之间输出。 | ||
| 搜索关键词： | 开关单元 上变频混频器 射频电流信号 射频电压信号 负载单元 跨导单元 低噪声 高转换 输出 电流信号转换 中频电流信号 中频电压信号 本振电压 电流换向 开关控制 变频 转换 | ||
【主权项】：
1.一种低噪声高转换增益的上变频混频器，采用基于双平衡吉尔伯特混频器结构，包括：输入跨导单元将中频电压信号(IF+、IF‑)转换为射频电流信号，采用互补PMOS\NMOS结构，PMOS和NMOS共用直流电流，PMOS管的直流电流注入NMOS管中；开关单元在本振电压信号(LO+、LO‑)的开关控制下，将输入跨导单元输出的中频电流信号通过电流换向变频，产生射频电流信号；负载单元将开关单元输出的电流信号转换为射频电压信号，差分射频电压信号(RF+、RF‑)从开关单元和负载单元之间输出，采用PMOS做有源负载，并给PMOS栅极单独提供偏置电压。
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